Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1, 500В, 18,5А, CoolMOS, PG-TO220-3 (10 шт.)
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM074372
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1, 500В, 18,5А, CoolMOS, PG-TO220-3 (10 шт.)В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розроблений для роботи під напругою до 500 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO220-3, з монтажем у отвори (THT).
- Струм стоку 18,5 А при напрузі 500 В
- Розсіювана потужність 127 Вт
- Опір у відкритому стані 0,19 Ом
- Корпус PG-TO220-3 для вивідного монтажу (THT)
- Технологія CoolMOS™ від Infineon
- Комплект із 10 транзисторів
Електричні параметри та потужність
Прилад має максимальну напругу стік-виток 500 В та струм стоку 18,5 А,. Максимальна розсіювана потужність становить 127 Вт, а опір у відкритому стані — 0,19 Ом,. Напруга затвор-виток обмежена ±20 В,.
Технологія та конструкція
Використання технології CoolMOS™ є технологією виробника. Корпус PG-TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT),. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення,.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів IPP50R190CEXKSA1,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 127 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴