Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R140CPXKSA1, 500В, 23А, 192Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM074371
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R140CPXKSA1, 500В, 23А, 192Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R140CPXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO220-3, розрахований на напругу 500 В та струм 23 А. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга дрен-виток: 500 В
- Струм дрену: 23 А
- Розсіювана потужність: 192 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,14 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Технічні параметри
Прилад має розсіювану потужність 192 Вт та опір у відкритому стані 0,14 Ом. Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±20 В. Канал транзистора є збагачуваним, що відповідає стандартній логіці керування для MOSFET.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі PG-TO220-3, призначеному для вивідного монтажу (THT). Монтаж виконується у отвори друкованої плати (THT).
Технологія CoolMOS™
Компонент реалізований за технологією CoolMOS™ від виробника Infineon Technologies. Використовується технологія CoolMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 192 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 23 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 140 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴