Транзистор N-MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1, 200В, 34А, 136Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1 — це уніполярний компонент із технологією OptiMOS™ 3. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 34 А
• Потужність розсіювання: 136 Вт
• Опір у стані провідності: 32 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 136 Вт потужності, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значними навантаженнями. Така характеристика важлива для пристроїв, де компонент працює в режимі постійного навантаження або при високих імпульсних струмах.

Стійкість до високих напруг

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 200 В. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що потребує дотримання стандартних правил керування MOSFET.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 32 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір у стані провідності зменшує втрати потужності.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3 для монтажу на плату (THT). У комплекті постачається 10 транзисторів.

Транзистор Infineon IPP320N20N3GXKSA1 з параметрами 200 В та 34 А. Комплект із 10 штук.