Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N15N3GXKSA1, 150В, 50А, корпус PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP200N15N3GXKSA1. Це уніполярні компоненти з каналом збагачення, розраховані на напругу 150 В та струм 50 А. Виготовлені за технологією OptiMOS™ 3 у корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга дренаж-джерело 150 В
• Струм дренажу до 50 А
• Розсіювана потужність 150 Вт
• Опір у стані провідності 20 мОм
• Корпус PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT)
• Технологія OptiMOS™ 3

Висока потужність та струм

Транзистор здатний розсіювати потужність до 150 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями. Максимальний струм дренажу становить 50 А, що забезпечує ефективну комутацію потужних споживачів. Номінальна напруга дренаж-джерело 150 В гарантує стабільну роботу в мережах із підвищеною напругою.

Енергоефективність завдяки низькому опору

Завдяки технології OptiMOS™ 3, опір у стані провідності (Rds(on)) становить лише 20 мОм. Такий низький опір мінімізує теплові втрати та підвищує загальний ККД пристрою. Це особливо важливо для енергоефективних систем, де кожен ват втрат має значення.

Зручний монтаж у корпусі PG-TO220-3

Компоненти постачаються в корпусі PG-TO220-3, призначеному для монтажу в отвори (THT), що спрощує пайку та заміну. У комплекті йде одразу 10 транзисторів, що вигідно для серійного виробництва або ремонтних майстерень.