Транзистор N-MOSFET Infineon IPP089N15NM6AKSA1, 150В, 88А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM035819
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP089N15NM6AKSA1, 150В, 88А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP089N15NM6AKSA1. Призначені для роботи в електричних колах із напругою до 150 В та струмом до 88 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 88 А
- Потужність розсіювання: 158 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 150 В, а постійний струм стоку — 88 А. Потужність розсіювання дорівнює 158 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється в отвори (THT).
Комплект поставки
У пакуванні міститься 10 транзисторів. Модель IPP089N15NM6AKSA1 має опір у відкритому стані 8,9 мОм та заряд затвора 29 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 158 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 88 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴