Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1, 150В, 79А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

2 170 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035818
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1, 150В, 79А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1, 150В, 79А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO220-3, розрахований на напругу 150 В та струм 79 А. Товар постачається набором із 10 штук.

  • Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
  • Напруга дрена-джерела: 150 В
  • Струм дрена: 79 А
  • Опір у стані провідності: 7,6 мОм
  • Розсіювана потужність: 214 Вт
  • Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
  • Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 150 В та витримує постійний струм дрена 79 А. Опір у стані провідності становить 7,6 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 214 Вт, а заряд затвора — 49 нКл.

Технологія та монтаж

Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 5. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Корпус PG-TO220-3.

Комплектація

У пакуванні міститься 10 транзисторів IPP076N15N5AKSA1. Символ виробника: IPP076N15N5AKSA1. Полярність: уніполярний. Тип каналу: збагачуваний. Напруга затвор-джерело: ±20 В.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання214 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік150 В
Максимально допустимий струм стоку79 А
Опір у відкритому стані (Rds)7.6 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусPG-TO220-3
ТехнологіяOptiMOS™ 5
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 170 ₴