
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1, 150В, 79А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035818
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO220-3, розрахований на напругу 150 В та струм 79 А. Товар постачається набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 150 В
- Струм дрена: 79 А
- Опір у стані провідності: 7,6 мОм
- Розсіювана потужність: 214 Вт
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 150 В та витримує постійний струм дрена 79 А. Опір у стані провідності становить 7,6 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 214 Вт, а заряд затвора — 49 нКл.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 5. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Корпус PG-TO220-3.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів IPP076N15N5AKSA1. Символ виробника: IPP076N15N5AKSA1. Полярність: уніполярний. Тип каналу: збагачуваний. Напруга затвор-джерело: ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 214 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 79 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴
