Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1, 150В, 100А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM074370
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1, 150В, 100А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 150 В. Товар поставляється комплектом із 5 штук у корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-сорс: 150 В
- Струм стіка: 100 А
- Розсіювана потужність: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 7,5 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Технічні характеристики
Пристрій працює з напругою стік-сорс 150 В та витримує постійний струм стіка 100 А. Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 7,5 мОм.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 від Infineon Technologies. Корпус PG-TO220-3 та тип монтажу THT (в отвори). Напруга затвор-сорс обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴