Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

3 360 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035817
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1 призначений для потужних силових схем. Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 3, що забезпечує низький опір у відкритому стані та ефективне розсіювання тепла.

  • Струм стоку до 120 А
  • Розсіювана потужність 300 Вт
  • Опір у стані провідності 4,8 мОм
  • Технологія OptiMOS™ 3
  • Корпус PG-TO220-3 (THT)
  • Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистори розраховані на постійний струм стоку до 120 А, що дозволяє використовувати їх у потужних інверторах та джерелах живлення. Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт, що гарантує стабільну роботу під значними навантаженнями. Для надійного відведення тепла рекомендується використання радіаторів.

Низький опір та ефективність

Завдяки технології OptiMOS™ 3 опір у стані провідності (Rds(on)) становить лише 4,8 мОм. Це мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір особливо важливий для підвищення ККД силових перетворювачів.

Зручний монтаж та корпус

Компоненти виконані в корпусі PG-TO220-3 із виводами для монтажу на поверхні друкованої плати (THT). Такий формат корпусу є стандартом для силових транзисторів, що спрощує пайку та інтеграцію в існуючі схеми. Напруга стік-витік становить 120 В, а напруга затвор-витік — ±20 В.

Уніполярна структура та канал типу N-типу збагачення (enhancement mode) транзисторів IPP048N12N3GXKSA1 забезпечує просте керування та стабільну роботу в силових схемах. Така конфігурація є стандартною для багатьох промислових застосувань, де потрібна надійність та передбачуваність характеристик. Полярність unipolarny та тип каналу wzbogacany підтверджують універсальність компонента для заміни аналогів у існуючих пристроях. Це спрощує процес інтеграції транзисторів у схеми без необхідності зміни топології керування затвором. Завдяки цим параметрам транзистори підходять для широкого спектру електронних модулів, від блоків живлення до двигунів постійного струму.

У комплекті поставляється 10 транзисторів Infineon IPP048N12N3GXKSA1. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно замінити кілька компонентів одночасно.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання300 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік120 В
Максимально допустимий струм стоку120 А
Опір у відкритому стані (Rds)4.8 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусPG-TO220-3
ТехнологіяOptiMOS™ 3
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 360 ₴