Транзистор N-MOSFET Infineon IPP045N10N3GXKSA1, 100В, 100А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM019060
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP045N10N3GXKSA1, 100В, 100А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP045N10N3GXKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO220-3 з максимальним струмом стока 100 А та напругою стік-витік 100 В. Комплект містить 10 транзисторів.
- Струм стоку до 100 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Розсіювана потужність 214 Вт
- Опір у відкритому стані 4,5 мОм
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплект із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на розсіювання потужності до 214 Вт. Опір у відкритому стані становить 4,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3 з технологією монтажу THT (навісний монтаж). Використовується технологія OptiMOS™ 3. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Упаковка містить 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 214 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴