Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)
2 110 ₴
- В наявності
- Код: TM074369
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO220-3 з технологією OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 120 В
- Максимальний струм стіка: 120 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 4,1 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 120 В та постійний струм стіка 120 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4,1 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3. Монтаж здійснюється методом THT (скрізний монтаж). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 110 ₴