Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N04NGXKSA1, 40V, 80A, PG-TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N04NGXKSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Набір складається з 20 одиниць у корпусі PG-TO220-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та прототипування.

• Струм стоку до 80 А для силових застосувань
• Напруга стік-витік 40 В
• Розсіювана потужність 94 Вт
• Корпус PG-TO220-3 для монтажу THT
• Технологія OptiMOS™ 3
• Набір із 20 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на струм стоку до 80 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значним споживанням енергії. Така характеристика робить компонент придатним для керування потужними навантаженнями, де потрібна надійність при високих струмах.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 94 Вт, що вимагає належного теплового режиму при експлуатації. Корпус PG-TO220-3 та технологія OptiMOS™ 3 сприяють ефективному відведенню тепла, що важливо для стабільної роботи пристрою під навантаженням.

Монтаж через отвори та комплектація

Компоненти мають виводи для монтажу через отвори (THT), що забезпечує надійне кріплення на друковані плати. У комплекті постачається 20 транзисторів, що є вигідним рішенням для серійного виробництва або ремонту обладнання. Напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає допустимі режими керування. Опір у відкритому стані дорівнює 4,1 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму.