Транзистор N-MOSFET Infineon IPP040N06N3GXKSA1, 60В, 90А, корпус PG-TO220-3 (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP040N06N3GXKSA1. Це уніполярні компоненти з каналом збагачення, розраховані на напругу 60 В та струм 90 А. Виготовлені за технологією OptiMOS™ 3 у корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
• Максимальний струм стоку 90 А
• Розсіювана потужність 188 Вт
• Опір у відкритому стані 4 мОм
• Корпус PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT)
• Технологія OptiMOS™ 3

Висока потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм стоку до 90 А та розсіюють потужність до 188 Вт. Це дозволяє використовувати їх у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна надійність та стабільність роботи під великим струмом.

Низький опір у відкритому стані

Опір у відкритому стані становить всього 4 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою та спрощує систему охолодження.

Зручний монтаж та надійність

Компоненти мають корпус PG-TO220-3 та призначені для монтажу в отвори (THT). Це забезпечує механічну міцність кріплення та простоту заміни при ремонті або прототипуванні. Напруга затвор-витік ±20 В гарантує сумісність із багатьма драйверами затворів.