Транзистор N-MOSFET Infineon IPP037N08N3GXKSA1, 80В, 100А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP037N08N3GXKSA1 призначений для промислового та аматорського електронного монтажу. Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 3, що забезпечує низький опір у відкритому стані та ефективну роботу в силових схемах.

• Струм стоку до 100 А для потужних навантажень
• Низький опір у відкритому стані 3,7 мОм
• Розсіювана потужність 214 Вт
• Технологія OptiMOS™ 3 для високої ефективності
• Корпус PG-TO220-3 для монтажу THT
• Набір із 10 транзисторів

Потужність та струм

Транзистори розраховані на постійний струм стоку до 100 А, що дозволяє використовувати їх у потужних імпульсних джерелах живлення та двигунах. Максимальна розсіювана потужність становить 214 Вт, що гарантує стабільну роботу під значним навантаженням.

Низькі втрати та напруга

Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 3,7 мОм, що мінімізує теплові втрати та підвищує загальний ККД пристрою. Напруга стік-витік 80 В та напруга затвор-витік ±20 В роблять ці компоненти універсальними для широкого спектру силових задач.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані в корпусі PG-TO220-3 з виводами для монтажу на поверхню (THT), що спрощує пайку та забезпечує механічну стійкість. Уніполярна структура та збагачуваний канал гарантують передбачувані характеристики перемикання.

Комплектація та застосування
Набір складається з 10 транзисторів, що зручно для серійного монтажу або запасу компонентів. Транзистори підходять для використання в імпульсних джерелах живлення, контролерах двигунів та інших силових схемах, де важливі висока ефективність та надійність.

Цей набір ідеально підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових ключів для модернізації або створення електронних пристроїв.