Транзистор N-MOSFET Infineon IPP030N10N3GXKSA1, 100В, 100А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP030N10N3GXKSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи при напрузі 100 В та струмі 100 А. Товар постачається набором із 5 штук у корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 100 В
• Максимальний струм стіка: 100 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані: 3 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Комплектація: 5 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-виток 100 В та постійний струм стіка 100 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт, а опір у відкритому стані — 3 мОм. Напруга затвор-виток обмежена ±20 В.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT), що дозволяє встановлювати транзистор у друковані плати з отворами.