
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP029N06NXKSA1, 60В, 100А, TO220-3 (набір 10 шт.)
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM074367
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP029N06NXKSA1 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220-3. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 100 А
- Потужність розсіювання: 38 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,9 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стоку 100 А. Ці параметри визначають робочий діапазон пристрою в електричних схемах.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 38 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла. Опір у відкритому стані дорівнює 2,9 мОм, що зменшує втрати енергії при пропусканні струму через транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴
