Транзистор N-MOSFET Infineon IPP026N10NF2SAKMA1, 100В, 184А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP026N10NF2SAKMA1. Це уніполярні компоненти з корпусом TO220-3, призначені для потужних електронних схем.

• Струм стоку: 184 А
• Напруга стік-витік: 100 В
• Потужність розсіювання: 250 Вт
• Опір у стані провідності: 2,6 мОм
• Корпус: TO220-3 (THT)
• Кількість у наборі: 10 шт.

Тип транзистора та канал

Компонент є N-MOSFET транзистором з уніполярною структурою та збагачуваним каналом. Така конфігурація забезпечує надійне керування струмом у силових електронних схемах.

Електричні параметри

Максимальний струм стоку становить 184 А при напрузі стік-витік 100 В. Потужність розсіювання досягає 250 Вт, а опір у стані провідності — 2,6 мОм, що знижує нагрівання. Заряд затвора дорівнює 103 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT). Такий формат зручний для ручного монтажу та забезпечує надійний контакт із платою.

Комплектація

У пакуванні міститься 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

Цей набір підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових MOSFET-транзисторів для промислових або побутових електронних пристроїв.