Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1, 60В, 120А, 5 шт.
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM074366
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1, 60В, 120А, 5 шт.В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 120 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 120 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,4 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Електричні характеристики
Прилад працює з напругою стік-витік 60 В та витримує напругу затвор-витік ±20 В. Максимальний струм стоку становить 120 А, а розсіювана потужність — 250 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 2,4 мОм.
Корпус та технологія
Транзистор виготовлений у корпусі PG-TO220-3. Монтаж виконується методом встановлення в отвори (THT). Використовується технологія OptiMOS™ 3 від виробника Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴