Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023NE7N3GXKSA1, 75В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 потужних N-канальних MOSFET-транзисторів Infineon IPP023NE7N3GXKSA1 у корпусі PG-TO220-3. Підходять для комутації високих струмів у силових електронних схемах.

• Струм стоку до 120 А
• Розсіювана потужність 300 Вт забезпечує стабільну роботу
• Низький опір у відкритому стані 2,3 мОм зменшує втрати енергії
• Корпус PG-TO220-3 з монтажем THT
• Технологія OptiMOS™ 3 від Infineon
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистори IPP023NE7N3GXKSA1 розраховані на постійний струм стоку до 120 А. Це дозволяє використовувати їх у потужних силових ланцюгах.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт. Такий показник забезпечує стабільну роботу транзисторів під високим навантаженням, що є критично важливим для надійності силових пристроїв та електродвигунів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 2,3 мОм. Завдяки технології OptiMOS™ 3, транзистор демонструє мінімальні втрати потужності при комутації, що сприяє зниженню втрат потужності.

Зручний монтаж та корпус

Компоненти виконані у стандартному корпусі PG-TO220-3 з виводами для монтажу на плату (THT). Це спрощує процес пайки та інтеграції транзисторів у існуючі друковані плати.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів.