Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1, 80В, 120А, 5 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM074365
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1, 80В, 120А, 5 шт.В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 120 А при напрузі 80 В. Комплект складається з 5 елементів у корпусі PG-TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Струм стіка 120 А
- Напруга стік-витік 80 В
- Потужність розсіювання 375 Вт
- Опір у відкритому стані 2,3 мОм
- Корпус PG-TO220-3 (THT)
- Комплект: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 80 В та витримує постійний струм стіка 120 А. Потужність розсіювання становить 375 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а опір у відкритому стані дорівнює 2,3 мОм.
Технологія та монтаж
Пристрій виготовлено за технологією OptiMOS™ 5. Корпус PG-TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). Уніполярна структура та канал збагачення визначають специфіку керування затвором.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴