Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S, 600В, 4А, SOT223, 30 шт (IPN60R600P7SATMA1)
2 430 ₴
- В наявності
- Код: TM074363
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S, 600В, 4А, SOT223, 30 шт (IPN60R600P7SATMA1)В наявності
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S — це напівпровідниковий компонент для електронних схем.## Монтаж та комплектація
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 4 А
- Потужність розсіювання: 7 Вт
- Корпус: PG-SOT223 (SMD)
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Комплектація: 30 шт.
Потужність та струм
Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 4 А. Потужність розсіювання становить 7 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у стані провідності дорівнює 0,6 Ом.
Керування та заряд затвора
Напруга затвор-джерело обмежена значенням ±20 В. Заряд затвора становить 9 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Канал транзистора є збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴