Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R950CEATMA1, 500В, 4,2А, SMD (60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R950CEATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 4,2 А. Товар постачається комплектом із 60 штук у корпусі PG-SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга витоку-джерела: 500 В
• Струм витоку: 4,2 А
• Опір у стані провідності: 0,95 Ом
• Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
• Комплектація: 60 шт.

Технологія та корпус

Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ CE. Транзистор має тип корпусу PG-SOT223 та призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Електричні параметри

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 500 В, а допустимий струм витоку — 4,2 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,95 Ом, що впливає на тепловиділення при роботі. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а сумарний заряд затвора — 10,5 нКл.

Потужність та комплектація

Максимальна розсіювана потужність становить 5 Вт. Комплект містить 60 одиниць товару.