Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, 500В, 4,8А, SOT223 (комплект 40 шт.)
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM074361
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, 500В, 4,8А, SOT223 (комплект 40 шт.)В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана у корпусі PG-SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається комплектом із 40 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 500 В
- Постійний струм стіка: 4,8 А
- Потужність розсіювання: 5 Вт
- Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
- Комплект: 40 штук
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 500 В та постійний струм стіка 4,8 А. Потужність розсіювання становить 5 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,8 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що визначає допустимі режими керування затвором.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ CE, що забезпечує специфічні характеристики перемикаючих транзисторів. Корпус PG-SOT223 та тип монтажу SMD визначають спосіб встановлення компонента.
Комплектація
Товар постачається як набір із 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | CoolMOS™ CE |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴