Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPL60R104C7AUMA1, 600V, 15A, CoolMOS™ C7, PG-VSON-4 (5 шт.)

2 720 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019052
Транзистор N-MOSFET Infineon IPL60R104C7AUMA1, 600V, 15A, CoolMOS™ C7, PG-VSON-4 (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPL60R104C7AUMA1, 600V, 15A, CoolMOS™ C7, PG-VSON-4 (5 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPL60R104C7AUMA1 — це уніполярний компонент технології CoolMOS™ C7 у корпусі PG-VSON-4. Комплект із 5 штук призначений для монтажу SMD у силових електронних схемах.

  • Напруга дрена-джерела 600 В
  • Струм дрена 15 А
  • Потужність розсіювання 122 Вт
  • Технологія CoolMOS™ C7
  • Корпус PG-VSON-4, монтаж SMD
  • Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 15 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних застосуваннях, де потрібна надійна комутація значних навантажень.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 122 Вт, що забезпечує стабільну роботу пристрою під час тривалих навантажень. Корпус PG-VSON-4.

Технологія CoolMOS™ C7

Використання технології CoolMOS™ C7. Опір у стані провідності 0,104 Ом.

Зручний монтаж SMD

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело ±20 В.

Комплект із 5 транзисторів Infineon IPL60R104C7AUMA1.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання122 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку15 А
Опір у відкритому стані (Rds)104 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті5 шт.
КорпусPG-VSON-4
ТехнологіяCoolMOS™ C7
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 720 ₴