Транзистор N-MOSFET Infineon IPI180N10N3GXKSA1, 100В, 43А, корпус PG-TO262-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPI180N10N3GXKSA1. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 100 В та струмом до 43 А. Товар постачається комплектом із 20 штук у корпусі PG-TO262-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стіка: 43 А
• Розсіювана потужність: 71 Вт
• Опір у відкритому стані: 18 мОм
• Корпус: PG-TO262-3, монтаж THT
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 43 А. Опір у відкритому стані становить 18 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 71 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO262-3, що відповідає стандарту для монтажних транзисторів. Тип монтажу — THT (скрізний монтаж), що дозволяє встановлювати транзистор на друковані плати з отворами. Технологія виготовлення: OptiMOS™ 3.

Комплектація

У пакуванні міститься 20 транзисторів моделі IPI180N10N3GXKSA1.