Транзистор N-MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3 (набір 20 шт.)
3 400 ₴
- В наявності
- Код: TM019051
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3 (набір 20 шт.)В наявності
3 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPI086N10N3GXKSA1. Це уніполярні компоненти з каналом збагачення, призначені для роботи з напругою до 100 В та струмом до 80 А. Виготовлені за технологією OptiMOS™ 3 у корпусі PG-TO262-3 для монтажу в отвори (THT).
- Струм стоку: 80 А
- Напруга стік-витік: 100 В
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Опір у стані провідності: 8,6 мОм
- Корпус: PG-TO262-3 (THT)
- Кількість у наборі: 20 шт.
Потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 80 А та розсіювану потужність 125 Вт. Максимальна напруга стік-витік становить 100 В.
Низький опір та ефективність
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 8,6 мОм. Таке низьке значення зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.
Комплектація та монтаж
Компоненти мають корпус PG-TO262-3 та призначені для вивідного монтажу (THT). Напруга затвор-витік становить ±20 В. У пакуванні міститься 20 штук транзисторів,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 400 ₴