Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3 (20 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM074360
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3 (20 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI040N06N3GXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PG-TO262-3 з технологією OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: 60 В
- Струм стоку: 90 А
- Розсіювана потужність: 188 Вт
- Опір у відкритому стані: 4 мОм
- Корпус: PG-TO262-3, монтаж THT
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 60 В, а напруга на затворі — ±20 В. Прилад витримує постійний струм стоку до 90 А. Опір у відкритому стані дорівнює 4 мОм.
Потужність та монтаж
Розсіювана потужність транзистора сягає 188 Вт. Монтаж виконується за технологією THT (скрізний монтаж). Корпус PG-TO262-3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 188 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴