Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7, 800 В, 1,9 А, 24 Вт (IPD80R2K0P7ATMA1) — набір 20 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM074359
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7, 800 В, 1,9 А, 24 Вт (IPD80R2K0P7ATMA1) — набір 20 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R2K0P7 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією CoolMOS™ P7 у корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу. Комплект складається з 20 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік 800 В
- Струм стоку 1,9 А
- Потужність розсіювання 24 Вт
- Технологія CoolMOS™ P7
- Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажу
- Комплект 20 шт.
Висока напруга та струм
Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В. Максимальний струм стоку — 1,9 А, а потужність розсіювання — 24 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон приладу.
Технологія CoolMOS™ P7
Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі PG-TO252-3 (DPAK) для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 24 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴