Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1, 800В, 5,7А, 83Вт (20 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM074358
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1, 800В, 5,7А, 83Вт (20 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K0CEATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO252-3 для монтажу SMD. Комплект складається з 20 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 5,7 А
- Потужність розсіювання: 83 Вт
- Технологія: CoolMOS™ CE
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 5,7 А. Ці параметри визначають електричні межі роботи компонента.
Потужність та технологія
Максимальна потужність розсіювання становить 83 Вт. Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ CE.
Зручний монтаж
Корпус PG-TO252-3 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ CE |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴