Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, 700В, 2,5А, PG-TO252-3 (30 шт.)
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM019050
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, 700В, 2,5А, PG-TO252-3 (30 шт.)В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™, призначений для роботи під напругою до 700 В. Комплект складається з 30 штук у корпусі PG-TO252-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.
- Напруга дрена-джерела 700 В
- Струм дрена 2,5 А та потужність розсіювання 22,7 Вт
- Технологія CoolMOS™
- Корпус PG-TO252-3 із монтажем SMD
- Комплект із 30 штук
- Опір у стані провідності 1,4 Ом
Висока напруга та ефективність
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 700 В. Струм дрена становить 2,5 А, а розсіювана потужність — 22,7 Вт. Опір у стані провідності становить 1,4 Ом.
Технологія CoolMOS™ та монтаж
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™. Компонент має корпус PG-TO252-3 із типом монтажу SMD, що спрощує автоматизований монтаж на друковані плати. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±16 В.
Комплектація
У комплекті постачається 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 22.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴