Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R650CEAUMA1, 600 В, 6,2 А, 82 Вт (комплект 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R650CEAUMA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO252-3 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.

• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 6,2 А
• Потужність розсіювання: 82 Вт
• Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
• Технологія: CoolMOS™ CE
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стоку 6,2 А.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 82 Вт.

Технологія CoolMOS™ CE

Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ CE від Infineon.

Імпульсний струм та заряд затвора

Транзистор витримує імпульсний струм стоку (Idm) до 19 А. Заряд затвора становить 20,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання приладу.