Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, 600В, 4А, CoolMOS P7, ESD, 20 шт.
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM074356
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, 600В, 4А, CoolMOS P7, ESD, 20 шт.В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1 — це уніполярний компонент технології CoolMOS™ P7 у корпусі PG-TO252-3 для SMD-монтажу. Комплект складається з 20 штук із захистом від електростатичного розряду (ESD).
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Постійний струм дрена 4 А, імпульсний 16 А
- Розсіювана потужність 30 Вт
- Технологія CoolMOS™ P7
- Корпус PG-TO252-3 для SMD-монтажу
- Захист ESD
- Комплект 20 штук
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 4 А. Імпульсний струм дрена досягає 16 А, а розсіювана потужність становить 30 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,6 Ом, заряд затвора — 9 нКл, напруга затвор-джерело — ±20 В.
Технологія та корпус
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Канал збагачуваний.
Комплектація та захист
Упаковка містить 20 транзисторів. Наявність версії ESD означає вбудований захист від електростатичного розряду.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴