Транзистор N-MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, 100В, 67А, корпус PG-TO252-3 (20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPD12CN10NGATMA1. Це уніполярні компоненти з каналом збагачення, розраховані на напругу 100 В та струм 67 А. Вирішення підходить для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PG-TO252-3.

• Напруга дрена-джерела 100 В
• Струм дрена 67 А
• Розсіювана потужність 125 Вт
• Опір у відкритому стані 12,4 мОм
• Корпус PG-TO252-3 для монтажу SMD
• Технологія OptiMOS™ 2
• Комплект із 20 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 67 А. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, що дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високим навантаженням. Номінальна напруга затвор-джерело ±20 В забезпечує стабільну роботу керуючих сигналів.

Оптимізована технологія OptiMOS™ 2

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 2, що характеризується низьким опором у відкритому стані. Значення опору становить 12,4 мОм, що зменшує теплові втрати та підвищує ефективність пристрою. Це важливо для мінімізації нагрівання при високих струмах.

Корпус та монтаж

Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Уніполярна структура та канал збагачення (enhancement) роблять транзистор зручним для застосування у схемах із прямим керуванням.## Комплект із 20 транзисторів

Транзистори IPD12CN10NGATMA1 мають навантаження до 67 А.