Транзистор N-MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, 100В, DPAK, набір 20 шт.
3 540 ₴
- В наявності
- Код: TM019048
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, 100В, DPAK, набір 20 шт.В наявності
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPD122N10N3GATMA1. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі DPAK та розраховані на робочу напругу 100 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
- Виробник: Infineon Technologies
Технічні параметри
Транзистори є уніполярними з каналом збагачення типу N-MOSFET. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В. Корпус DPAK.
Зручність монтажу
Компоненти виготовлені для технології поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизоване виробництво електронних плат. Корпус DPAK.
Комплект поставки
У пакуванні міститься 20 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 540 ₴