Транзистор N-MOSFET Infineon IPD090N03LGATMA1, 30В, 30А, корпус PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD090N03LGATMA1. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 30 В та струмом до 30 А. Пакет містить 20 одиниць товару в корпусі PG-TO252-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 30 А
• Розсіювана потужність: 42 Вт
• Опір у відкритому стані: 9 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стіка 30 А. Опір у відкритому стані становить 9 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 42 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PG-TO252-3. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж). Використовується технологія OptiMOS™ 3.

Комплектація

Увага: даний товар продається набором, що складається з 20 транзисторів.