Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO252-3 (комплект 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035813
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO252-3 (комплект 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD082N10N3GATMA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар постачається комплектом із 10 штук у корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 80 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані: 8,2 мОм
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
- Комплектація: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 80 А. Потужність розсіювання становить 125 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8,2 мОм.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴