Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1, 30V, 35A, PG-TO252-3 (30 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM074354
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1, 30V, 35A, PG-TO252-3 (30 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD075N03LGATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 35 А
- Розсіювана потужність: 47 Вт
- Опір у відкритому стані: 7,5 мОм
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стіка 35 А. Це визначає межі його роботи в електричних колах.
Тип транзистора
Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Це визначає принцип його роботи в електронних схемах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 47 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴