Транзистор N-MOSFET Infineon IPD060N03LGATMA1, 30V, 43A, PG-TO252-3 (20 шт.)
2 480 ₴
- Немає в наявності
- Код: TM074353
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD060N03LGATMA1, 30V, 43A, PG-TO252-3 (20 шт.)Немає в наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерТранзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD060N03LGATMA1. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PG-TO252-3. Пакет містить 20 одиниць товару.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-джерело: 30 В
- Струм стоку: 43 А
- Опір у відкритому стані: 6 мОм
- Розсіювана потужність: 56 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу стік-джерело 30 В та максимальний струм стоку 43 А. Опір у відкритому стані становить 6 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 56 Вт.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴