Транзистор N-MOSFET Infineon IPD050N03LGATMA1, 30V, 50A, PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD050N03LGATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на струм 50 А та напругу 30 В. Комплект із 20 штук у корпусі PG-TO252-3 підходить для SMD-монтажу в силових електронних схемах.

• Струм стоку 50 А для потужних навантажень
• Напруга стік-витік 30 В
• Розсіювана потужність 68 Вт
• Опір у провідному стані 5 мОм
• Корпус PG-TO252-3 для SMD-монтажу
• Комплект із 20 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор витримує постійний струм стоку 50 А та розсіює потужність до 68 Вт. Це дозволяє використовувати його в пристроях із високим енергоспоживанням, де потрібна стабільна робота під навантаженням.

Низький опір у відкритому стані

Опір у провідному стані становить 5 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальну ефективність пристрою.

Технологія OptiMOS™ 3

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 від Infineon. Це забезпечує оптимізовані характеристики перемикання та надійність, характерні для сучасних силових MOSFET.

Надійність та параметри затвора

Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає безпечні режими керування транзистором. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що гарантує стабільну роботу в типових силових схемах. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує виробництво плат та забезпечує компактне розміщення.