Транзистор N-MOSFET Infineon IPD034N06N3GATMA1, 60В, 100А, корпус PG-TO252-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD034N06N3GATMA1. Це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 100 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі PG-TO252-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 60 В
• Максимальний струм стоку: 100 А
• Розсіювана потужність: 167 Вт
• Опір у відкритому стані: 3,4 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні характеристики

Транзистор має максимальну напругу між стоком та витоком 60 В і витримує струм стоку до 100 А. Максимальна розсіювана потужність становить 167 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,4 мОм.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO252-3 з технологією OptiMOS™ 3. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD). Напруга між затвором та витоком обмежена значенням ±20 В.

Комплектація

У пакуванні міститься 10 транзисторів.