Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N03LGATMA1, 30V, 79A, 94W, PG-TO252-3 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD031N03LGATMA1, призначений для електронних схем. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PG-TO252-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.

• Струм дрена: 79 А
• Розсіювана потужність: 94 Вт
• Опір у стані провідності: 3,1 мОм
• Напруга дрена-джерела: 30 В
• Корпус: PG-TO252-3 (SMD)
• Комплектація: 30 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм дрена 79 А та розсіювання потужності до 94 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах, де важлива ефективність та мінімальні втрати енергії.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить лише 3,1 мОм. Таке значення зменшує нагрівання компонента під час роботи та підвищує загальний ККД пристрою, що є критичним для компактних електронних модулів.

Технологія OptiMOS™ 3

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3, що гарантує стабільні характеристики та надійність. Корпус PG-TO252-3 та монтаж SMD забезпечують компактність та простоту автоматизованого паяння.

Керування та монтаж

Максимальна напруга дрена-джерела становить 30 В, а напруга затвор-джерела — ±20 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Монтаж SMD забезпечує компактність та простоту автоматизованого паяння.