
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3, 55В, 80А, PG-TO263-3 (комплект 10 шт.)
3 110 ₴
- В наявності
- Код: TM019045
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3 — це силовий компонент із максимальним струмом стоку 80 А. Комплект із 10 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Струм стоку: 80 А
- Напруга стік-витік: 55 В
- Розсіювана потужність: 210 Вт
- Опір у стані провідності: 6,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Комплект: 10 штук
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 80 А та розсіювання потужності 210 Вт. Це дозволяє використовувати його в силових ключах інверторів, джерел живлення та двигунів, з урахуванням необхідності відведення тепла.
Ефективність та технологія OptiMOS™
Завдяки технології OptiMOS™ опір каналу в стані провідності становить лише 6,7 мОм. Такий низький опір мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.
Зручний монтаж та параметри керування
Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD), що забезпечує компактність плати та автоматизацію збірки. Максимальна напруга стік-витік 55 В та напруга затвор-витік ±20 В підходять для силових ключів. Заряд затвора становить 95 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 210 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ |
- Ціна: 3 110 ₴
