Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3, 55В, 80А, PG-TO263-3 (комплект 10 шт.)

3 110 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019045
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3, 55В, 80А, PG-TO263-3 (комплект 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3, 55В, 80А, PG-TO263-3 (комплект 10 шт.)В наявності
3 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB80N06S2L07ATMA3 — це силовий компонент із максимальним струмом стоку 80 А. Комплект із 10 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Струм стоку: 80 А
  • Напруга стік-витік: 55 В
  • Розсіювана потужність: 210 Вт
  • Опір у стані провідності: 6,7 мОм
  • Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
  • Комплект: 10 штук

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 80 А та розсіювання потужності 210 Вт. Це дозволяє використовувати його в силових ключах інверторів, джерел живлення та двигунів, з урахуванням необхідності відведення тепла.

Ефективність та технологія OptiMOS™

Завдяки технології OptiMOS™ опір каналу в стані провідності становить лише 6,7 мОм. Такий низький опір мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Зручний монтаж та параметри керування

Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD), що забезпечує компактність плати та автоматизацію збірки. Максимальна напруга стік-витік 55 В та напруга затвор-витік ±20 В підходять для силових ключів. Заряд затвора становить 95 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання210 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку80 А
Опір у відкритому стані (Rds)6.7 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусPG-TO263-3
ТехнологіяOptiMOS™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 110 ₴