Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R060P7ATMA1, 600В, 30А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R060P7ATMA1 — це напівпровідниковий прилад з технологією CoolMOS™ P7, призначений для ефективної комутації в силових електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі D2PAK, що забезпечує зручність для прототипування та дрібносерійного виробництва.

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 30 А
• Опір у відкритому стані 60 мОм
• Технологія CoolMOS™ P7
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 30 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних перетворювачах та імпульсних блоках живлення, де потрібна надійна робота під значним навантаженням.

Ефективність технології CoolMOS™ P7

Завдяки технології CoolMOS™ P7 транзистор має низький опір у відкритому стані 60 мОм. Це зменшує втрати потужності при комутації та дозволяє розсіювати до 164 Вт тепла, що спрощує термічний розрахунок пристрою.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення економить місце на друкованій платі та забезпечує автоматизоване встановлення, що є важливим для сучасних електронних пристроїв.

Комплектація

У комплекті поставляється 5 транзисторів. Це дозволяє одразу провести кілька тестів або зібрати невелику партію пристроїв без додаткових замовлень.