Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100В, 100А, корпус PG-TO263-3 (набір 10 шт.)

2 900 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019043
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100В, 100А, корпус PG-TO263-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100В, 100А, корпус PG-TO263-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1 — це потужний напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель належить до технології OptiMOS™ 3 та забезпечує високу ефективність перемикання. Товар постачається у комплекті з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Струм стоку до 100 А
  • Напруга стік-витік 100 В
  • Опір у відкритому стані 4,2 мОм
  • Розсіювана потужність 214 Вт
  • Корпус PG-TO263-3 для SMD монтажу
  • Технологія OptiMOS™ 3
  • Комплект: 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 100 А та напругу стік-витік 100 В. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних та високопотужних застосуваннях. Максимальна розсіювана потужність становить 214 Вт, що гарантує стабільну роботу під значними навантаженнями.

Низький опір у відкритому стані

Завдяки технології OptiMOS™ 3, опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює всього 4,2 мОм. Такий низький опір мінімізує теплові втрати та підвищує загальний ККД пристрою. Це критично важливо для енергоефективних систем, де кожна частка вата має значення.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат забезпечує гарне відведення тепла на друковану плату та компактність конструкції. Напруга затвор-витік становить ±20 В, що відповідає стандартним драйверам керування.

Канал збагачення та полярність Транзистор має канал збагачення (enhancement mode) та є уніполярним приладом. Це означає, що для відкриття каналу необхідна додатна напруга на затворі відносно витоку. Така конфігурація є стандартною для більшості силових MOSFET-ключів у схемах підвищення та зниження напруги. ## Для кого цей товар Транзистор Infineon IPB042N10N3GATMA1 підходить інженерам та технікам, які потребують надійних силових ключів для промислового обладнання, джерел живлення або інверторів. Комплект із 10 штук спрощує закупівлю для невеликих партій.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання214 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку100 А
Опір у відкритому стані (Rds)4.2 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусPG-TO263-3
ТехнологіяOptiMOS™ 3
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 900 ₴