Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, 120В, 120А, 5 шт.
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM074352
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, 120В, 120А, 5 шт.В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 120 В та струм 120 А. Комплект складається з 5 штук у корпусі PG-TO263-3 для монтажу SMD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 120 В
- Струм дрена: 120 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у стані провідності: 3,8 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Потужність та опір
Транзистор має потужність розсіювання 300 Вт та опір у стані провідності 3,8 мОм. Ці параметри визначають його робочі характеристики.
Технологія та монтаж
Використовується технологія OptiMOS™. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-TO263-3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴