Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1, 80В, 160А, 214Вт (5 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM074351
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1, 80В, 160А, 214Вт (5 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB030N08N3GATMA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO263-7 з технологією OptiMOS™ 3.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 80 В
- Струм дрена: 160 А
- Розсіювана потужність: 214 Вт
- Опір у стані провідності: 3 мОм
- Корпус: PG-TO263-7, монтаж SMD
- Комплектація: 5 шт.
Висока потужність та струм
Компонент працює при напрузі дрена-джерела 80 В та витримує струм дрена до 160 А. Максимальна розсіювана потужність становить 214 Вт.
Низький опір провідності
Опір у стані провідності дорівнює 3 мОм.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 214 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 160 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴