Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N08N3GATMA1, 80В, 120А, PG-TO263-3 (5 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM074350
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N08N3GATMA1, 80В, 120А, PG-TO263-3 (5 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N08N3GATMA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу 80 В та струм 120 А. Прилад виконаний у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається набором із 5 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 80 В
- Струм стіка: 120 А
- Розсіювана потужність: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,5 мОм
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 80 В та витримує струм стіка до 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 2,5 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 від Infineon Technologies. Корпус PG-TO263-3 призначений для SMD-монтажу на друковані плати.
Комплектація
У пакуванні міститься 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴