Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1, 60В, 120А, корпус PG-TO263-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 120 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стіка: 120 А
• Розсіювана потужність: 250 Вт
• Опір у відкритому стані: 1,9 мОм
• Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 60 В та витримує постійний струм стіка 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а опір у відкритому стані дорівнює 1,9 мОм.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO263-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення (enhancement mode).

Комплектація

У пакуванні міститься 10 транзисторів.