Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, 100В, 180А, 5 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035811
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, 100В, 180А, 5 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO263-7 з технологією OptiMOS™ 5.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Максимальний струм дрена: 180 А
- Потужність розсіювання: 375 Вт
- Опір у стані провідності: 1,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-7, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 5
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена до 180 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а опір у стані провідності — 1,7 мОм. Потужність розсіювання дорівнює 375 Вт.
Монтаж та корпус
Прилад виконаний у корпусі PG-TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴