Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1, 80В, 120А, 5 шт.
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM074348
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1, 80В, 120А, 5 шт.В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB017N08N5ATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 80 В та струм 120 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO263-3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 80 В
- Струм стіка: 120 А
- Розсіювана потужність: 375 Вт
- Опір у відкритому стані: 1,7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 5
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні характеристики
Компонент розрахований на напругу стік-витік 80 В та постійний струм стіка 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 1,7 мОм. Допустима напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі PG-TO263-3, який призначений для поверхневого монтажу (SMD) на друковані плати. У комплекті постачається 5 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴