Транзистор N-MOSFET Infineon IPB015N08N5ATMA1, 80В, 180А, OptiMOS™ 5, PG-TO263-7 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB015N08N5ATMA1 — це потужний силовий компонент на технології OptiMOS™ 5, призначений для комутації високих струмів у промислових та енергетичних пристроях. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO263-7, що забезпечує зручність монтажу та ефективне відведення тепла.

• Струм 180 А та напруга 80 В для потужних систем
• Технологія OptiMOS™ 5 для мінімізації втрат
• Розсіювана потужність 375 Вт
• Корпус PG-TO263-7 для SMD монтажу
• Комплект із 5 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на робочий струм 180 А та напругу 80 В, що дозволяє використовувати його в потужних інверторах та джерелах живлення. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт, що гарантує стабільну роботу під значними навантаженнями.

Ефективна технологія OptiMOS™ 5

Застосування технології OptiMOS™ 5 забезпечує низький опір у відкритому стані, що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Це критично важливо для підвищення загального ККД пристрою та збільшення терміну служби системи.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Таке виконання забезпечує компактність пристрою та надійний контакт із платою.